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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：硅器件和材料
收藏年代2000～2023



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2020, vol.120, no.126 2020, vol.120, no.205 2020, vol.120, no.239 2020, vol.120, no.273 2020, vol.120, no.352 2020, vol.120, no.359

题名作者出版年年卷期
アモルファス酸化物半導体メモリスタの特性測定自動化とその効果角田涼; 倉崎彩太; 牧岡大輔; 木村睦20202020, vol.120, no.273
薄膜デバイスを用いた人工網膜の生体環境模倣実験内藤直矢; 豊田航平; 岡野仁夫; 木村陸20202020, vol.120, no.273
非結晶Ga-Sn-O薄膜熱電変換素子の特性評価山本佑平; 荒牧達也; 伊藤良; 木村睦20202020, vol.120, no.273
IGZO薄膜を利用したシナプス素子の積層クロスポイントメモリ岩城江津子; 津野拓海; 木村陸20202020, vol.120, no.273
ニューラルネットワーク用強誘電体薄膜の誘電特性評価石崎勇真; 梅村浩輝; 松川大毅; 徳光永輔; 羽賀健一; 土井利浩; 木村睦20202020, vol.120, no.273
STDP学習側を用いた酸化物半導体薄膜シナプス素子の検討片桐徹也; 山川大樹; 谷内田健太; 森垣和樹; 木村睦20202020, vol.120, no.273
IGZO薄膜シナプスを用いた脳型システム大西祐輝; 柴山友輝; 山川大樹; 池田裕哉; 中島康彦; 木村睦20202020, vol.120, no.273
粒子配向用チタン酸バリウム単結晶微粒子の合成山﨑美沙; 山口正樹20202020, vol.120, no.273
積層構造によるAl_2O_3/GaN MOS特性の改善曽根原翔; 上沼睦典; 浦岡行治20202020, vol.120, no.273
酸化物半導体の低温欠陥制御とフレキシブルデバイス応用曲勇作; 古田守20202020, vol.120, no.273
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