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期刊
ISSN
0913-5685
刊名
電子情報通信学会技術研究報告
参考译名
电子信息通信学会技术研究报告:硅器件和材料
收藏年代
2000~2023
全部
2000
2001
2002
2009
2013
2014
2015
2017
2020
2021
2022
2023
题名
作者
出版年
年卷期
[招待講演]加熱その場高分解能TEMを用いた薄膜Si固相結晶化過程の原子スケールリアルタイム観察: 多結晶Siチャネル高性能化に向けて
手面学; 浅野孝典; 高石理一郎; 富田充裕; 齋藤真澄; 田中洋毅
2023
2023, vol.123, no.89
結晶相転移接合トランジスタの実証
冨岡克広; 勝見悠; 本久順一
2023
2023, vol.123, no.89
【依頼講演】オペランドレーザー励起光電子顕微鏡による強誘電体キャパシタの非破壊イメージングの開拓
藤原弘和; 糸矢祐喜; 小林正治; Cedric Bareille; 辛埴; 谷内敏之
2023
2023, vol.123, no.89
熱酸化Zr/Hf多重積層構造の結晶構造および強誘電特性評価
佐野友之輔; 田岡紀之; 牧原克典; 大田晃生; 宮崎誠一
2023
2023, vol.123, no.89
FeナノドットへのSiH_4照射がシリサイド化反応に及ぼす影響
斎藤陽斗; 牧原克典; 谷田験; 田岡紀之; 宮崎誠一
2023
2023, vol.123, no.89
自己組織化単分子膜を用いた極薄SiO_2/SiC界面特性の評価
奥平諒; 川那子高暢; 細井卓治
2023
2023, vol.123, no.89
[記念講演]極低温動作MOSFETのクーロン散乱移動度に対するバンド端準位の影響
岡博史; 稲葉工; 飯塚将太; 浅井栄大; 加藤公彦; 森貴洋
2023
2023, vol.123, no.89
[記念講演]表面ラフネス散乱の非線形理論に基づく極薄膜nMOSFETのチャネル材料と面方位の最適設計
隅田圭; 姜旼秀; 陳家驄; トープラサートポンカシデイット; 竹中充; 高木信一
2023
2023, vol.123, no.89
プラズマプロセス中のウェハ温度の非接触測定に向けた計測システムの開発
後藤隆之介; 堀内憲志郎; Jiawen Yu; 花房宏明; 東清一郎
2023
2023, vol.123, no.8
[招待講演]ガラス基板上のダブルゲート薄膜トランジスタ
原明人; 野村海成; 永吉輝央; 新田誠英; 鈴木翔; 伊藤悠人
2023
2023, vol.123, no.8
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