长垣产业园区科技文献服务平台

期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：硅器件和材料
收藏年代2000～2023



全部

2000 2001 2002 2009 2013 2014
2015 2017 2020 2021 2022 2023

2020, vol.120, no.126 2020, vol.120, no.205 2020, vol.120, no.239 2020, vol.120, no.273 2020, vol.120, no.352 2020, vol.120, no.359

题名作者出版年年卷期
Investigation of N-doped LaB_6/LaB_xN_y/Si(100) MIS structure and floating-gate memory applicationsKyung Eun PARK; Hideki KAMATA; Shun-ichiro OHMI20202020, vol.120, no.205
A two-step wet etching process for the integration of PdEr/HfO_2 gate stack structure on the gate-first Schottky barrier MOSFETRengie Mark D. MAILIG; Yuichiro ARUGA; Shun-ichiro OHMI20202020, vol.120, no.205
Investigation on Millisecond Solid Phase Crystallization of Amorphous Silicon Films Induced by Micro Thermal Plasma JetHoa Thi Khanh Nguyen; Hiroaki Hanafusa; Yuri Mizukawa; Shohei Hayashi; Seiichiro Higashi20202020, vol.120, no.205
［記念講演］プラズマを利用した原子層制御エッチングプロセス熊倉翔; 本田昌伸20202020, vol.120, no.205
3次元積層に向けた高容量密度·高耐圧SiN絶縁膜粗面トレンチキャパシタの開発齊藤宏河; 吉田彩乃; 黒田理人; 柴田寛; 柴口拓; 栗山尚也; 須川成利20202020, vol.120, no.205
IPAを用いた銅·酸化銅上の表面改質間脇武蔵; 寺本章伸; 石井勝利; 志波良信; 諏訪智之; 東雲秀司; 清水亮; 梅澤好太; 黒田理人; 白井泰雪; 須川成利20202020, vol.120, no.205
強誘電体薄膜BiFeO_3の格子整合とX線構造分析今泉文伸; 仲田陸人20202020, vol.120, no.205
統計的計測によるドレイン-ソース間電圧がランダムテレグラフノイズに与える影響の解析秋元瞭; 黒田理人; 寺本章伸; 間脇武蔵; 市野真也; 諏訪智之; 須川成利20202020, vol.120, no.205



国家科技图书文献中心  全球文献资源网  京ICP备05055788号-26  机械工业信息研究院 2018-2024