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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：硅器件和材料
收藏年代2000～2023



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2021, vol.121, no.138 2021, vol.121, no.212 2021, vol.121, no.235 2021, vol.121, no.365 2021, vol.121, no.366 2021, vol.121, no.46
2021, vol.121, no.71 2021, vol.121, no.8

题名作者出版年年卷期
[Invited talk] Single-digit-nanometer magnetic tunnel junction technology for high-capacity STT-MRAMButsurin JINNAI; Junta IGARASHI; Takanobu SHINODA; Kyota WATANABE; Takuya FUNATSU; Hideo SATO; Shunsuke FUKAMI; Hideo OHNO20212021, vol.121, no.365
[招待講演]16nm Fin FETプロセス混載STT-MRAMにおける72%の書込みエネルギー低減を達成したセルフターミネーション書込み方式斉藤朋也; 伊藤孝; 帯刀恭彦; 園田賢一郎; 渡辺源太; 松原謙; 神田明彦; 下井貴裕; 武田晃一; 河野隆司20212021, vol.121, no.365
高速荷電中心解析によるチャージトラップのダイナミクス把握に基づくHfO_2-FeFETサイクル劣化メカニズム解明市原玲華; 東悠介; 鈴木都文; 高野恵介; 吉村瑶子; 浜井貴将; 高橋恒太; 松尾和展; 中崎靖; 鈴木正道; 上牟田雄一; 齋藤真澄20212021, vol.121, no.365
[招待講演]表面ラフネス散乱の新モデルに基づく極薄膜nMOSFETの最適なチャネル材料と面方位の設計隅田圭; 陳家驄; トープラサートポンカシディット; 竹中充; 高木信一20212021, vol.121, no.365
[招待講演]CAAC-IGZO FET/Si CMOS微小電流メモリセルによる高演算効率アナログインメモリコンピューティング黒川義元; 馬場晴之; 大下智; 濱田俊樹; 安藤善範; 方堂涼太; 大野敏和; 廣瀬貴史; 國武寛司; 村川努; 名倉徹; 小林正治; 吉田宏; M. -C. CHEN; M. -H. LIAO; S. -Z. CHANG; 山﨑舜平20212021, vol.121, no.365
[招待講演]3Dシーケンシャル技術を用いたCMOSイメージセンサー中澤圭一; 山元純平; 森茂貴; 岡本晋太郎; 清水暁人; 馬場公一; 藤井宣年; 上原睦雄; 平松克規; 熊野秀臣; 松本晃; 財津光一郎; 大沼英寿; 田谷圭司; 平野智之; 岩元勇人20212021, vol.121, no.365



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