长垣产业园区科技文献服务平台

期刊


ISSN0368-7147
刊名Квантовая электроника
参考译名量子电子学
收藏年代2000～2023



全部

2000 2001 2002 2003 2004 2005
2006 2007 2008 2009 2010 2011
2012 2013 2014 2015 2016 2017
2018 2019 2020 2021 2022 2023

2022, vol.52, no.1 2022, vol.52, no.10 2022, vol.52, no.11 2022, vol.52, no.12 2022, vol.52, no.2 2022, vol.52, no.3
2022, vol.52, no.4 2022, vol.52, no.5 2022, vol.52, no.6 2022, vol.52, no.7 2022, vol.52, no.8 2022, vol.52, no.9

题名作者出版年年卷期
Сверхширокополосные частотные гребенки среднего ИК диапазона, создаваемые путем генерации оптических субгармоникК. Л. Водопьянов20222022, vol.52, no.4
Нелинейные явления в фемтосекундных лазерных системах на основе тонкостержневых Yb: YAG-усилителейД. В. Ким; С. Пак; Е. Г. Салль; Г. -Х. Ким; В. Е. Яшин; Д. Янг20222022, vol.52, no.4
Фемтосекундная множественная филаментация оптического вихря на длине волны среднего ИК диапазона в плавленом кварце и фторидахС. А. Шленов; В. О. Компанец; А. А. Дергачев; В. П. Кандидов; С. В. Чекалин; Ф. И. Сойфер20222022, vol.52, no.4
Формирование пространственной структуры излучения накачки в фокальной плоскости линзы при разных типах вынужденного рассеяния светаА. А. Гордеев; В. Ф. Ефимков; И. Г. Зубарев20222022, vol.52, no.4
Многопроходный дисковый Yb: KGW-усилительА. К. Потемкин; М. А. Мартьянов; С. Ю. Миронов20222022, vol.52, no.4
Квазинепрерывные мощные полупроводниковые лазеры (1060 нм) со сверхширокой излучающей апертуройС. О. Слипченко; Д. Н. Романович; В. А. Капитонов; К. В. Бахвалов; Н. А. Пихтин; П. С. Копьев20222022, vol.52, no.4
Анализ ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) в рамках стационарной двумерной моделиС. О. Слипченко; В. С. Головин; О. С. Соболева; И. А. Ламкин; Н. А. Пихтин20222022, vol.52, no.4
Лазерная генерация в ИК диапазоне на атомарных переходах цезия и рубидия при накачке на высоколежащие уровниА. А. Бабин; М. В. Волков; С. Г. Гаранин; С. А. Ковалдов; А. В. Копалкин; Ф. А. Стариков; А. В. Страхов; В. В. Феоктистов20222022, vol.52, no.4
Полупроводниковый лазер на основе гетероструктуры CdS/ZnSe с продольной оптической накачкой излучением лазерного диодаМ. Р. Бутаев; В. И. Козловский; Я. К. Скасырский20222022, vol.52, no.4
Полупроводниковый дисковый лазер с длиной волны излучения 780 нм на гетероструктуре Al_xGa_(1-x)As/Al_yGa_(1-y)As, выращенной методом MOCVD, с оптической накачкой и накачкой электронным пучкомМ. Р. Бутаев; Я. К. Скасырский; В. И. Козловский; А. Ю. Андреев; И. В. Яроцкая; А. А. Мармалюк20222022, vol.52, no.4
12



国家科技图书文献中心  全球文献资源网  京ICP备05055788号-26  机械工业信息研究院 2018-2024