长垣产业园区科技文献服务平台

期刊


ISSN0368-7147
刊名Квантовая электроника
参考译名量子电子学
收藏年代2000~2023



全部

2000 2001 2002 2003 2004 2005
2006 2007 2008 2009 2010 2011
2012 2013 2014 2015 2016 2017
2018 2019 2020 2021 2022 2023

2018, vol.48, no.1 2018, vol.48, no.10 2018, vol.48, no.11 2018, vol.48, no.12 2018, vol.48, no.2 2018, vol.48, no.3
2018, vol.48, no.4 2018, vol.48, no.5 2018, vol.48, no.6 2018, vol.48, no.7 2018, vol.48, no.8 2018, vol.48, no.9

题名作者出版年年卷期
Исследование спектральных характеристик апериодических многослойных зеркал нормального падения на основе Sb/B_4C для области λ < 124 АЕ. А. Вишняков; И. А. Копылец; В. В. Кондратенко; А. О. Колесников; А. С. Пирожков; Е. Н. Рагозин; А. Н. Шатохин20182018, vol.48, no.3
Влияние толщины волноводных слоев на выходные характеристики полупроводниковых лазеров с длинами волн излучения 1500-1600 нмА. А. Мармалюк; Ю. Л. Рябоштан; П. В. Горлачук; М. А. Ладугин; А. А. Падалица; С. О. Слипченко; А. В. Лютецкий; Д. А. Веселов; Н. А. Пихтин20182018, vol.48, no.3
ВКР-лазер на алмазе с генерацией на длинах волн 1194, 1419 и 597 нмВ. П. Пашинин; В. Г. Ральченко; А. П. Большаков; Е. Ё. Ашкинази; В. И. Конов20182018, vol.48, no.3
Численное исследование усиления пикосекундных импульсов в лазерной системе THL-100 при увеличении энергии накачки XeF(C-A)-усилителяА. Г. Ястремский; Н. Г. Иванов; В. Ф. Лосев20182018, vol.48, no.3
Твердотельный усилитель на основе кристалла Yb:YAG с одномодовой лазерной накачкой на длине волны 920 нмИ. В. Обронов; А. С. Демкин; Д. В. Мясников20182018, vol.48, no.3
Усиленная люминесценция сильнолегированных Al_xGa_(1-x)N-структур при оптическом возбужденииП. А. Бохан; К. С. Журавлёв; Дм. Э. Закревский; Т. В. Малин; И. В. Осинных; Н. В. Фатеев20182018, vol.48, no.3
Широкополосная генерация разностной частоты среднего ИК диапазона в ниобате лития, легированном MgO с концентрацией 5 мол.%, с периодической или апериодической доменной структуройЦзяньдун Чжан; Цзянь Цзян; Кай Ван; Сюань Сяо; Сыяо Юй; Цзусин Чжан20182018, vol.48, no.3
Исследование динамики нелинейного оптического отклика в стеклообразных халькогенидных полупроводниках методом "накачка - зондирование"Е. А. Романова; Ю. С. Кузюткина; В. С. Ширяев; С. Гизар20182018, vol.48, no.3
Процессы взаимодействия лазерного излучения с пористыми прозрачными материалами при их абляцииВ. В. Осипов; В. В. Лисенков; В. В. Платонов; Е. В. Тихонов20182018, vol.48, no.3
Влияние поглощающего покрытия на абляцию алмаза лазерными ИК импульсамиТ. В. Кононенко; П. А. Пивоваров; А. А. Хомич; Р. А. Хмельницкий; В. И. Конов20182018, vol.48, no.3
12