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期刊
ISSN
0913-5685
刊名
電子情報通信学会技術研究報告
参考译名
电子信息通信学会技术研究报告:电子信息显示
收藏年代
2000~2022
全部
2000
2001
2002
2003
2004
2006
2007
2008
2009
2010
2011
2012
2013
2014
2015
2016
2017
2018
2019
2020
2021
2022
2016, vol.116, no.162
2016, vol.116, no.174
2016, vol.116, no.280
2016, vol.116, no.299
2016, vol.116, no.354
2016, vol.116, no.430
2016, vol.116, no.442
题名
作者
出版年
年卷期
Development of recombination layer in Perovskite/Microcrystalline Si tandem solar cells
Song Zhang; Yasuaki Yishikawa; Itaru Raifuku; Tiphaine Bourgeteau; Yukiharu Uraoka; Erik Johnson; Martin Foldyna; Yvan Bonnassieux; Pere Roca i Cabarrocas
2016
2016, vol.116, no.354
ミストCVD法で作製したGaSnO薄膜の特性評価
福嶋大貴; 弓削政博; 木村睦; 松田時宜
2016
2016, vol.116, no.354
新規レアメタルフリーAOS TFTの研究開発
梅田鉄馬; 加藤雄太; 西本大樹; 松田時宜; 木村睦
2016
2016, vol.116, no.354
IGZO薄膜素子の磁気抵抗効果に対する電極の影響
符川明日香; 野村竜生; 松田時宜; 木村睦
2016
2016, vol.116, no.354
GaSnO膜のHall効果測定
今西恒太; 符川明日香; 松田時宜; 木村睦
2016
2016, vol.116, no.354
薄膜生体刺激デバイスのin-vitro実験
冨岡圭佑; 三宅康平; 松田時宜; 木村睦
2016
2016, vol.116, no.354
薄膜コイルを用いたワイヤレス電力伝送
山本友稀; 三澤慶悟; 松田時宜; 木村睦
2016
2016, vol.116, no.354
金属酸化物抵抗変化型メモリにおけるデータ保持特性の外部ストレス耐性
木下健太郎
2016
2016, vol.116, no.354
第一原理計算による多結晶酸化物薄膜の抵抗変化メカニズムの検討
森山拓洋; 肥田聡太; 山崎隆浩; 大野隆央; 岸田悟; 木下健太郎
2016
2016, vol.116, no.354
自己整合四端子平面型メタルダブルゲート低温poly-Si TFTから成るガラス上のCMOSインバータ
大澤弘樹; 原明人
2016
2016, vol.116, no.354
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