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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：电子信息显示
收藏年代2000～2022



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2015, vol.115, no.157 2015, vol.115, no.166 2015, vol.115, no.296 2015, vol.115, no.322 2015, vol.115, no.362 2015, vol.115, no.439

题名作者出版年年卷期
NiOを用いたReRAMにおけるフォーミング特性の分布西佑介; 木本恒暢20152015, vol.115, no.362
高い選択比をもつSiN_xエッチングガスを用いたFinFET構造の作製小尻尚志; 諏訪智之; 橋本圭市; 寺本章伸; 黒田理人; 須川成利20152015, vol.115, no.362
ゲート電圧印加が光電変換効率に及ぼす効果大木康平; 日下部昂志; 松尾直人; 部家彰20152015, vol.115, no.362
a-Ge膜のFLA結晶化におけるランプ印加電圧依存性平野翔太; 部家彰; 松尾直人; 河本直哉; 中村祥章; 横森岳彦; 吉岡正樹20152015, vol.115, no.362
RFマグネトロンスパッタリング法によるIn_2O_3薄膜の特性評価吉岡敏博; 小川淳史; 弓削政博; 松田時宜; 木村睦20152015, vol.115, no.362
ミストCVD法によるGa_xSn_(1-x)O薄膜の特性評価弓削政博; 小川淳史; 吉岡敏博; 加藤雄太; 松田時宜; 木村睦20152015, vol.115, no.362
IGZOのアニール温度に対するMR効果の変化宮村祥吾; 志賀春紀; 今西恒太; 符川明日香; 木村睦; 松田時宜20152015, vol.115, no.362
CrSiNの磁気特性測定志賀春紀; 宮村祥吾; 今西恒太; 符川明日香; 木村睦; 松田時宜; 廣島安20152015, vol.115, no.362
薄膜poly-Geをチャネルに利用したガラス上の自己整合メタルダブルゲート低温poly-Ge TFTの特性西村勇哉; 原明大20152015, vol.115, no.362
SnO_2/Al_2O_3薄膜の特性評価と薄膜トランジスタの評価小川淳史; 弓削政博; 吉岡敏博; 松田時宜; 木村睦20152015, vol.115, no.362
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