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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：电子信息显示
收藏年代2000～2022



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2014, vol.114, no.146 2014, vol.114, no.161 2014, vol.114, no.248 2014, vol.114, no.359 2014, vol.114, no.407

题名作者出版年年卷期
Si面4H-SiC n-MOSFETにおけるSplit C-V特性の周波数依存性結城広登; 矢野裕司20142014, vol.114, no.359
シングルパルスI_d-V_(gs)測定による4H-SiC MOSFETの界面特性評価磯野弘典; 矢野裕司20142014, vol.114, no.359
4H-SiC BJTの電流増幅率の温度依存性浅田聡志; 奥田貴史; 木本恒暢; 須田淳20142014, vol.114, no.359
水蒸気を用いたプラズマ誘起原子層堆積法によるAl_2O_3膜の形成梅原智明; 堀田昌宏; 吉嗣晃治; 石河泰明; 浦岡行治20142014, vol.114, no.359
二元系遷移金属酸化物メモリにおける抵抗変化ドライビングフォースの検討小石遼介; 森山拓洋; 木村康平; 河野公紀; 宮下英俊; 李相錫; 岸田悟; 木下健太郎20142014, vol.114, no.359
NiOを用いたReRAMのセミフォーミング後における抵抗スイッチング特性篠倉弘樹; 西佑介; 岩田達哉; 木本恒暢20142014, vol.114, no.359
B~+およびB_(10)H_(14)~+注入Si基板の軟X線照射による活性化部家彰; 草壁史; 平野翔大; 松尾直人; 神田一浩20142014, vol.114, no.359
抵抗変化メモリ（ReRAM）における導電性パス生成機構の検討～第一原理分子動力学法を用いたNiOの様々な面方位の表面状態解析森山拓洋; 山崎隆浩; 大野隆央; 岸田悟; 木下健太郎20142014, vol.114, no.359
長方形断面Geナノワイヤの正孔移動度の断面形状およびサイズ依存性田中一; 森誠悟; 森岡直也; 須田淳; 木本恒暢20142014, vol.114, no.359
DNAメモリトランジスタの電荷保持機構と伝導機構中村昇平; 松尾直人; 部家彰; 山名一成; 高田忠雄; 福山正隆; 横山新20142014, vol.114, no.359
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