长垣产业园区科技文献服务平台

期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：可靠性
收藏年代2000～2023



全部

2000 2001 2002 2003 2004 2005
2006 2007 2008 2009 2010 2011
2012 2013 2014 2015 2016 2017
2018 2019 2020 2021 2022 2023

2012, vol.112, no.1 2012, vol.112, no.103 2012, vol.112, no.109 2012, vol.112, no.112 2012, vol.112, no.113 2012, vol.112, no.114
2012, vol.112, no.117 2012, vol.112, no.124 2012, vol.112, no.125 2012, vol.112, no.126 2012, vol.112, no.13 2012, vol.112, no.138
2012, vol.112, no.14 2012, vol.112, no.144 2012, vol.112, no.145 2012, vol.112, no.146 2012, vol.112, no.148 2012, vol.112, no.15
2012, vol.112, no.155 2012, vol.112, no.156 2012, vol.112, no.157 2012, vol.112, no.158 2012, vol.112, no.159 2012, vol.112, no.16
2012, vol.112, no.160 2012, vol.112, no.161 2012, vol.112, no.169 2012, vol.112, no.170 2012, vol.112, no.171 2012, vol.112, no.175
2012, vol.112, no.176 2012, vol.112, no.18 2012, vol.112, no.180 2012, vol.112, no.181 2012, vol.112, no.182 2012, vol.112, no.183
2012, vol.112, no.184 2012, vol.112, no.186 2012, vol.112, no.202 2012, vol.112, no.204 2012, vol.112, no.205 2012, vol.112, no.207
2012, vol.112, no.211 2012, vol.112, no.213 2012, vol.112, no.214 2012, vol.112, no.215 2012, vol.112, no.217 2012, vol.112, no.223
2012, vol.112, no.234 2012, vol.112, no.238 2012, vol.112, no.245 2012, vol.112, no.247 2012, vol.112, no.251 2012, vol.112, no.252
2012, vol.112, no.253 2012, vol.112, no.254 2012, vol.112, no.257 2012, vol.112, no.259 2012, vol.112, no.260 2012, vol.112, no.262
2012, vol.112, no.263 2012, vol.112, no.265 2012, vol.112, no.266 2012, vol.112, no.267 2012, vol.112, no.273 2012, vol.112, no.280
2012, vol.112, no.283 2012, vol.112, no.284 2012, vol.112, no.290 2012, vol.112, no.292 2012, vol.112, no.296 2012, vol.112, no.301
2012, vol.112, no.305 2012, vol.112, no.312 2012, vol.112, no.316 2012, vol.112, no.318 2012, vol.112, no.320 2012, vol.112, no.323
2012, vol.112, no.324 2012, vol.112, no.326 2012, vol.112, no.328 2012, vol.112, no.329 2012, vol.112, no.33 2012, vol.112, no.332
2012, vol.112, no.336 2012, vol.112, no.337 2012, vol.112, no.339 2012, vol.112, no.34 2012, vol.112, no.341 2012, vol.112, no.342
2012, vol.112, no.347 2012, vol.112, no.348 2012, vol.112, no.355 2012, vol.112, no.356 2012, vol.112, no.358 2012, vol.112, no.359
2012, vol.112, no.363 2012, vol.112, no.365 2012, vol.112, no.366 2012, vol.112, no.370 2012, vol.112, no.371 2012, vol.112, no.375
2012, vol.112, no.381 2012, vol.112, no.382 2012, vol.112, no.387 2012, vol.112, no.388 2012, vol.112, no.389 2012, vol.112, no.39
2012, vol.112, no.397 2012, vol.112, no.399 2012, vol.112, no.40 2012, vol.112, no.400 2012, vol.112, no.401 2012, vol.112, no.402
2012, vol.112, no.408 2012, vol.112, no.412 2012, vol.112, no.413 2012, vol.112, no.415 2012, vol.112, no.418 2012, vol.112, no.421
2012, vol.112, no.425 2012, vol.112, no.426 2012, vol.112, no.427 2012, vol.112, no.43 2012, vol.112, no.431 2012, vol.112, no.432
2012, vol.112, no.433 2012, vol.112, no.437 2012, vol.112, no.442 2012, vol.112, no.446 2012, vol.112, no.449 2012, vol.112, no.45
2012, vol.112, no.451 2012, vol.112, no.453 2012, vol.112, no.455 2012, vol.112, no.459 2012, vol.112, no.46 2012, vol.112, no.460
2012, vol.112, no.461 2012, vol.112, no.465 2012, vol.112, no.47 2012, vol.112, no.470 2012, vol.112, no.472 2012, vol.112, no.475
2012, vol.112, no.478 2012, vol.112, no.483 2012, vol.112, no.484 2012, vol.112, no.487 2012, vol.112, no.56 2012, vol.112, no.58
2012, vol.112, no.59 2012, vol.112, no.6 2012, vol.112, no.61 2012, vol.112, no.62 2012, vol.112, no.65 2012, vol.112, no.68
2012, vol.112, no.69 2012, vol.112, no.71 2012, vol.112, no.72 2012, vol.112, no.74 2012, vol.112, no.76 2012, vol.112, no.78
2012, vol.112, no.82 2012, vol.112, no.84 2012, vol.112, no.92 2012, vol.112, no.95 2012, vol.112, no.96 2012, vol.112, no.98
2012, vol.112, no.99

题名作者出版年年卷期
ダイヤモンド半導体/金属界面の電気的特性制御－p型·n型ダイヤモンドの現状と課題松本翼; 加藤宙光; 小倉政彦; 竹内大輔; 牧野俊晴; 大串秀世; 山崎聡20122012, vol.112, no.92
Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動池田弥央; 牧原克典; 宮崎誠一20122012, vol.112, no.92
Pt/SiO_x/TiNダイオード構造の化学構造分析と電気抵抗スイッチング特性評価福嶋太紀; 大田晃生; 牧原克典; 宮崎誠一20122012, vol.112, no.92
リステリアDpsを利用したナノドット型フローティングゲートメモリの作製上武央季; 小原孝介; 上沼睦典; 鄭彬; 石河泰明; 山下一郎; 浦岡行治20122012, vol.112, no.92
極薄GeON膜を用いた高移動度Ge MOSFETの作製と電気特性評価箕浦佑也; 糟谷篤志; 細井卓治; 志村考功; 渡部平司20122012, vol.112, no.92
Al_2O_3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明柴山茂久; 加藤公彦; 坂下満男; 竹内和歌奈; 田岡紀之; 中塚理; 財満鎮明20122012, vol.112, no.92
TaO_x層挿入によるHfO_2/Ge界面反応制御村上秀樹; 三嶋健斗; 大田晃生; 橋本邦明; 東清一郎; 宮崎誠一20122012, vol.112, no.92
ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響加藤公彦; 坂下満男; 竹内和歌奈; 田岡紀之; 中塚理; 財満鎮明20122012, vol.112, no.92
TiN電極中の酸素に起因したHf系High-kゲート絶縁膜の特性劣化細井卓治; 大嶽祐輝; 有村拓晃; 力石薫介; 北野尚武; 志村考功; 渡部平司20122012, vol.112, no.92
第一原理計算によるGe表面でのドーパント表面偏析挙動の解析飯島郁弥; 澤野憲太郎; 牛尾二郎; 丸泉琢也; 白木靖寛20122012, vol.112, no.92
12



国家科技图书文献中心  全球文献资源网  京ICP备05055788号-26  机械工业信息研究院 2018-2024