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期刊


ISSN2187-1817
刊名富士電機技報
参考译名富士时报
收藏年代2012～2024

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富士時報富士时报1998～2012


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2022, vol.95, no.1 2022, vol.95, no.2 2022, vol.95, no.3 2022, vol.95, no.4

题名作者出版年年卷期
Power Semiconductor Devices - Driving Technology for Power Conversion SystemsLORENZ, Leo20222022, vol.95, no.4
パワー半導体デバイス: 電力変換システム技術の牽引役LORENZ, Leo20222022, vol.95, no.4
モビリティ·エネルギーマネジメントに貢献するパワー半導体大西泰彦; 宮坂忠志; 井川修20222022, vol.95, no.4
xEV向けIGBTモジュールの高電力密度化を実現するパッケージ技術佐藤悠司; 安達新一郎; 東展弘20222022, vol.95, no.4
第2世代1,700V All-SiCモジュールの系列拡大高久拓; 高崎愛子; 奥村啓樹20222022, vol.95, no.4
RC-IGBTを搭載した第7世代IGBT-IPMの小型製品の系列化黒澤英二; 城塚直彦; 唐本祐樹20222022, vol.95, no.4
3.3 kV第7世代「Xシリーズ」IGBTチップ技術伊倉巧裕; 原田祐一; 関野裕介20222022, vol.95, no.4
第7世代PWM電源制御IC「FA8C00シリーズ」松本晋治; 山根博樹; 宮城輝大20222022, vol.95, no.4
IPS用オートゼロアンプ技術岩本基光; 豊田善昭; 片倉英明20222022, vol.95, no.4
トレンチSBD内蔵によりバイポーラ劣化を抑制したSiC-MOSFET馬場正和; 俵武志; 竹中研介20222022, vol.95, no.4



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